概览

简介

RBN25H125S1FPQ-A0 1250V、25A 沟槽式绝缘栅双极晶体管(IGBT)集电极到发射极饱和电压低,内置快速恢复二极管(FRD),可用于功率开关应用。 该器件采用 TO-247A 封装。

特性

  • 沟槽栅极和薄晶圆技术(G8H 系列)
  • 内置快速恢复二极管,采用一个封装
  • 集电极至发射极饱和电压 VCE (sat) = 1.8V (典型值) (IC = 25A,VGE = 15V,Ta = 25 °C)
  • 质量等级:标准
  • 高速开关
  • 短路耐受时间(最小 10μs)

产品对比

应用

应用

  • UPS
  • 焊接
  • 光伏逆变器
  • 电源转换器系统

文档

设计和开发

模型