概要

説明

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The 2SJ210C, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4. 5 V power source.

特長

  • Directly driven by a 4.5 V power source.
  • Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 Ω MAX. (VGS = -10 V, ID = -100 mA) RDS(on)2 = 3.2 Ω MAX. (VGS = -4.5 V, ID = -50 mA)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 154 KB
ガイド PDF 1.71 MB
製品変更通知 PDF 510 KB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6 items

設計・開発

モデル