概要
説明
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The 2SJ210C, P-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4. 5 V power source.
特長
- Directly driven by a 4.5 V power source.
- Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 Ω MAX. (VGS = -10 V, ID = -100 mA) RDS(on)2 = 3.2 Ω MAX. (VGS = -4.5 V, ID = -50 mA)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
= ピックアップ
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 154 KB | |
ガイド | PDF 1.71 MB | |
製品変更通知 | PDF 510 KB 英語 | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
6 items
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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![Diagram of ECAD Models](/themes/idt8/images/ecad-models.jpg)