概要

説明

RJP65S03DWAは650V、30Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、Unsawnウェハパッケージで提供されます。

特長

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V(typ.) (IC = 30A, VGE = 15V、Tc = 25°C時)
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量(10µs min.)

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  • インバータ

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