概要

説明

The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.

特長

  • Low on-state resistance
    RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
    RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −10 A)
    RDS(on)3 = 20 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −10 A)
  • 2.5 V drive available
  • Avalanche capability ratings

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 270 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル