概要

説明

ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。

弊社の1800V - 300A/150A IGBTは、風力発電やソーラーインバータなど、高電力アプリケーションに最適化されています。

特長

  • ルネサス第8世代トレンチIGBT
  • 短絡耐量(10µs min.)
  • 高電力アプリケーションに最適化
  • Unsawnウェハ
  • ウェハサイズ:200mm
  • 品質水準:標準水準

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • 風力発電
  • ソーラーインバータ

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 144 KB
アプリケーションノート PDF 1.28 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル