概要

RJP65S08DWSは650V、200Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、Sawnパッケージで提供されます。

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V（typ.） （IC = 200A、VGE= 15V、TC = 25°C時）
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量（10µs min.）

アプリケーション

  • インバータ

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

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Diagram of ECAD Models

製品選択

    Processing table
    Pkg. Type
    Carrier Type
    ご購入 / サンプル
    型名
    RJP65S08DWS-80#W0
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		Sawn
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

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    • Full Screen button in header: Expand the table to full screen view (user must close out of full screen before they can interact with rest of page)
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    • Filter parts search bar in header: Type to filter table results by part number
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    • AND / OR toggle switches in header: Toggles the logic of this particular filter to be “AND” or “OR” logic for filtering results
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    • Document icon next to product name in row: View the featured document for this product
    • Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
    • Cart icon to the right of the chip icon: Indicates that samples are available for this product