GaNデバイスと技術の追加により、ルネサスの電源ポートフォリオを変革。
プレスリリース「ルネサスがTransphorm社の買収を完了」（2024年6月20日発表）
今日の電力システムでは、従来のシリコンベースのデバイスよりも高速なスイッチング周波数かつ広い電圧範囲をカバーする必要があり、同時に、より高い効率と電力密度がますます求められています。ワイドバンドギャップ・デバイスは著しい成長を遂げるだけでなく、今日の複雑な電力システムの需要に対応できる独自の地位を確立しています。
Transphorm社のGaN技術とデバイスがルネサスの電源ポートフォリオに加わったことで、ルネサスは戦略的に、業界で最も包括的な企業として、顧客に幅広いサービスを提供できるようになりました。 ルネサスのIGBT、SiCパワーFET、SiパワーFETからなる既存のディスクリートポートフォリオにGaNデバイスが加わることで、お客様のシステム設計に最大限の柔軟性を提供します。 Transphorm社のGaN技術は、独自の差別化されたワンコアプラットフォームの垂直統合モデルに基づいています。それは今日の幅広い電力アプリケーション製品に対して、最も広範囲の電力変換要件（45W～10kW以上）をサポートしています。 独自のウェハプロセスにより、競合するGaN製品と比べて損失／性能が25％向上しており、これも重要な利点です。 epi材料からパッケージング、アプリケーションに至るまで、GaNのバリューチェーン全体を網羅する1000件以上の特許にアクセスでき、業界をリードするIPを有しているため、差別化と顧客イノベーションのさらなる促進が可能となります。
車載、産業、再生可能エネルギー、民生分野で顧客のニーズが高まっています。ルネサスの多様な電源管理ソリューションは、垂直統合ウェハ製造による最先端のGaN製品を含むワイドバンドギャップ製品と、業界最高水準のコントローラおよびドライバICを組み合わせた包括的なソリューションを提供可能です。
