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GaNデバイスと技術の追加により、ルネサスの電源ポートフォリオを変革。
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プレスリリース「ルネサスがTransphorm社の買収を完了」（2024年6月20日発表）
今日の電力システムでは、従来のシリコンベースのデバイスよりも高速なスイッチング周波数かつ広い電圧範囲をカバーする必要があり、同時に、より高い効率と電力密度がますます求められています。ワイドバンドギャップ・デバイスは著しい成長を遂げるだけでなく、今日の複雑な電力システムの需要に対応できる独自の地位を確立しています。
Transphorm社のGaN技術とデバイスがルネサスの電源ポートフォリオに加わったことで、ルネサスは戦略的に、業界で最も包括的な企業として、顧客に幅広いサービスを提供できるようになりました。 ルネサスのIGBT、SiCパワーFET、SiパワーFETからなる既存のディスクリートポートフォリオにGaNデバイスが加わることで、お客様のシステム設計に最大限の柔軟性を提供します。 Transphorm社のGaN技術は、独自の差別化されたワンコアプラットフォームの垂直統合モデルに基づいています。それは今日の幅広い電力アプリケーション製品に対して、最も広範囲の電力変換要件（45W～10kW以上）をサポートしています。 独自のウェハプロセスにより、競合するGaN製品と比べて損失／性能が25％向上しており、これも重要な利点です。 epi材料からパッケージング、アプリケーションに至るまで、GaNのバリューチェーン全体を網羅する1000件以上の特許にアクセスでき、業界をリードするIPを有しているため、差別化と顧客イノベーションのさらなる促進が可能となります。
車載、産業、再生可能エネルギー、民生分野で顧客のニーズが高まっています。ルネサスの多様な電源管理ソリューションは、垂直統合ウェハ製造による最先端のGaN製品を含むワイドバンドギャップ製品と、業界最高水準のコントローラおよびドライバICを組み合わせた包括的なソリューションを提供可能です。
Processing table
サブカテゴリ |
Key Features |
アプリケーション |
Lead Count (#) |
Pkg. Type |
Temp. Range |
Qualification Level |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 型名 | |||||||
| 80V Dual Synchronous Buck Controller Optimized to Drive E-mode GaN FET | Buck Controllers (External FETs) | Automotive electronics, Industrial equipment, Power systems and more... |
32 | TQFN | -40 to +125°C | Standard | |
| 80V Dual or 2-Phase Synchronous Boost Controller Optimized to Drive E-mode GaN FET | Boost Controllers (External FETs) | Automotive electronics, Industrial equipment, Power systems and more... |
32 | TQFN | -40 to +125°C | Standard | |
| 40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistor | Rad Hard GaN FETs | Down hole drilling, High reliability industrial and more... |
4 | CLCC, PFL | -55 to +125°C | Modified Class V, PROTO | |
| 100V, 60A Enhancement Mode GaN Power Transistor | Rad Hard GaN FETs | Down hole drilling, High reliability industrial and more... |
4 | CLCC | -55 to +125°C | Modified Class V, PROTO | |
| 200V, 7.5A Enhancement Mode GaN Power Transistor | Rad Hard GaN FETs | Down hole drilling, High reliability industrial and more... |
4 | CLCC, PFL | -55 to +125°C | Modified Class V, PROTO | |
| Digital Synchronous Rectifier Controller Works in High-Side and Low-Side Rectification Configurations to Optimize Magnetics | AC/DC & Isolated DC/DC Converters and more... |
Auxiliary Power Supplies in Servers, Appliances and Desktops and more... |
6 | SOT23-6L | -40 to +150°C | Standard | |
| ショットキーダイオードに代わるデジタル同期整流器、RapidCharge™など超高電力密度AC/DC電源アダプタに搭載 | Secondary-side ICs and RapidCharge Protocol ICs | Compact AC/DC adaptors/Chargers | 6 | SOT23-6L | -40 to +150°C | Standard | |
| Secondary-Side USB Power Delivery 3.1 Protocol and Interface IC for Single and Multi-port Adapters up to 240W | Secondary-side ICs and RapidCharge Protocol ICs | Single-Port and Multi-Port RapidCharge™ AC/DC Chargers | 14 | TDFN-16L | -40 to +150°C | Standard | |
| 100W+のアプリケーションに対応した力率補正機能付きデジタル定電圧オフラインPWMコントローラ | Solid State Lighting Driver ICs | Constant Voltage Control, PrimAccurate | Adapters, Chargers, Monitor Power Supplies and more... |
6 | SOT23-6L | -40 to +125°C | Standard |
| 100W+ Digital Zero Voltage Switching RapidCharge™ AC/DC Controller, Compatible with Transphorm GaN | AC/DC & Isolated DC/DC Converters, Flyback & Forward Controllers | Adapters, Chargers, PSUs, Power Tools | 10 | SOIC-10 | -40 to +125°C | Standard | |
| 100Wデジタルゼロ電圧スイッチングRapidCharge™ AC/DCコントローラ | AC/DC & Isolated DC/DC Converters, Flyback & Forward Controllers | Adapters, Chargers, Networking, PSUs, Power Tools | 10 | SOIC-10 | -40 to +125°C | Standard | |
| GaN Digital Quasi-Resonant AC/DC Flyback Controller for Zero Standby Power RapidCharge Power Supplies up to 140W | Flyback & Forward Controllers | Adapters, Chargers, In-Wall Power Outlets, Networking, PSUs and more... |
6 | SOT23-6L | -40 to +125°C | Standard | |
| Low-Side GAN FET Driver with Programmable Source Current and Adjustable Overcurrent Protection | GaN FET Drivers | Optimized to drive enhancement mode GaN FETs and more... |
GaN FET driver application, Switching-mode power supply | 16 | QFN | -40°C to +125°C | Standard |
| Critical Conduction Mode Interleave PFC Control IC | Power Factor Correction (PFC) Controllers | PSUs | 20 | SOP | -40 to +125°C | Standard | |
| 臨界導通モード(CRM: Critical Conduction Mode) PFC制御IC | Power Factor Correction (PFC) Controllers | Achieves high efficiency and low switching noise and more... |
AC/DC adapters, Electronic ballasts, Medium off-line power converters | 8 | SOP | -40 to +125°C | Standard |
| TO-247 パッケージ 650V 15mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | 3 | TO-247 | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 35mΩ SuperGaN FETを有料に | GaN Power Discretes | TOLL | -55 to +150°C | Standard | |||
| 650V 35mΩ SuperGaN FET (TO-247 パッケージ) | GaN Power Discretes | 3 | TO-247 | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 35mΩ AEC-Q101認定SuperGaN FETをTO-247に封じ込める | GaN Power Discretes | 3 | TO-247 | -55 to +150°C | Automotive | ||
| TO-263 の 650V 50mΩ SuperGaN FET (D2-PAK) | GaN Power Discretes | 3 | TO-263 | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 50mΩ SuperGaN FET (TO-247 パッケージ) | GaN Power Discretes | 3 | TO-247 | -55 to +150°C | Standard | ||
| PQFN88の650V 72mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | PQFN88 | -55 to +150°C | Standard | |||
| PQFN88の650V 72mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | PQFN88 | -55 to +150°C | Standard | |||
| TO-220 の 650V 70mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | 3 | TO-220 | -55 to +150°C | Standard | ||
| TOLTの650V 72mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | 16 | TOLT | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 35mΩ SuperGaN FET (TO-247-4) | GaN Power Discretes | 3 | TO-247 | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 50mΩ SuperGaN FET (有料) | GaN Power Discretes | TOLL | -55 to +150°C | Standard | |||
| TO247-4の650V 50mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | 4 | TO-247-4L | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 72mΩ SuperGaN FET (有料) | GaN Power Discretes | 8 | TOLL | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 92mΩ SuperGaN FET in PQFN88 | GaN Power Discretes | PQFN88 | -55 to +150°C | Standard | |||
| 650V 92mΩ SuperGaN FET in TO-220 | GaN Power Discretes | 3 | TO-220 | -55 to +150°C | Standard | ||
| PQFN56 の 650V 240mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | PQFN56 | -55 to +150°C | Standard | |||
| 650V 240mΩ SuperGaN FET (PQFN88 パッケージ) | GaN Power Discretes | PQFN88 | -55 to +150°C | Standard | |||
| PQFN56 の 50V 480mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | PQFN56 | -55 to +150°C | Standard | |||
| PQFN56 の 650V 150mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | PQFN56 | -55 to +150°C | Standard | |||
| PQFN88の650V 150mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | PQFN88 | -55 to +150°C | Standard | |||
| TO-220 の 650V 150mΩ SuperGaN FET | GaN Power Discretes | 3 | TO-220 | -55 to +150°C | Standard | ||
| 650V 240mΩ SuperGaN FET (PQFN88 パッケージ) | GaN Power Discretes | PQFN88 | -55 to +150°C | Standard |
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アプリケーション例
USB Type-C & USB PD電源は、複数の出力、最適化された効率、費用対効果の高い設計を備えています。
USB PD 3.1およびZSP設計、シングル/デュアルポート充電、高効率を備えたコンパクトな65W USB Type-Cアダプタ。
