ルネサスのGaN FETドライバは、絶縁型および非絶縁型のトポロジでエンハンスメントモードの窒化ガリウム（GaN）FETを駆動するように開発されています。
パラメトリック製品セレクタを使用してカタログ上の製品を検索してみてください。パラメータ毎に スペックを比較することでお客様の設計に適した製品が表示されます。
