概要
説明
The NP100N04MUH, NP100N04NUH, NP100N04PUH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
特長
- Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
- Super low on-state resistance NP100N04MUH, NP100N04NUH RDS(on) = 3.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) NP100N04PUH RDS(on) = 3.1 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
- High avalanche energy, High avalanche current
- Low input capacitance Ciss = 6800 pF TYP. (VDS = 25 V)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 353 KB | |
ガイド | PDF 2.76 MB | |
ガイド | PDF 796 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
6件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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