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概要

説明

The NP100N04MUH, NP100N04NUH, NP100N04PUH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
  • Super low on-state resistance NP100N04MUH, NP100N04NUH RDS(on) = 3.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) NP100N04PUH RDS(on) = 3.1 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
  • High avalanche energy, High avalanche current
  • Low input capacitance Ciss = 6800 pF TYP. (VDS = 25 V)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 353 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models