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説明

The NP100N055MDH, NP100N055NDH, NP100N055PDH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
  • Super low on-state resistance NP100N055MDH, NP100N055NDH RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 6.6 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A) NP100N055PDH RDS(on)1 = 4.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 6.2 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A)
  • High avalanche energy, High avalanche current
  • Logic level drive Type
  • Low input capacitance Ciss = 9500 pF TYP. (VDS = 25 V)

製品比較

 

アプリケーション

 
分類 タイトル 日時
データシート PDF 357 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6件

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models