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概要

説明

These products are N-Channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Channel temperature 175 degree rated
  • Super low on-state resistance RDS(on) = 19 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A)
  • Low Ciss : Ciss = 1600 pF TYP.
  • Built-in gate protection diode

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 288 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6件

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models