概要
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The NP55N055SDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Channel temperature 175 degree rating
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 9.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 28 A)
- Low Ciss: Ciss = 3200 pF TYP.
- Logic level drive type
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 281 KB | |
ガイド | PDF 2.76 MB | |
ガイド | PDF 796 KB | |
製品別信頼性資料 | PDF 223 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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