概要
説明
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The NP82N06PLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 41 A)
- Low input capacitance Ciss = 5700 pF TYP.
- Built-in gate protection diode
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 306 KB | |
| ガイド | PDF 2.76 MB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 227 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。
Processing table
| MP-25ZP | Embossed Tape |
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