概要
説明
RBN50H65T1FPQ-A0は650V、50Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード(FRD)を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 TO-247Aパッケージで提供されます。
特長
- トレンチゲートと薄型ウェハ技術(G8Hシリーズ)
- 高速リカバリーダイオードを1パッケージで内蔵
- コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V(typ.) (IC = 50A、VGE = 15V、Ta = 25°C時)
- 品質水準:標準水準
- 高速スイッチング
- 短絡については、仕様にありません
製品比較
アプリケーション
- 無停電電源装置
- 溶接機
- 太陽光発電インバータ
- 電力変換システム
設計・開発
モデル
ECADモデル
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