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概要

説明

RBN50H65T1FPQ-A0は650V、50Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード(FRD)を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 TO-247Aパッケージで提供されます。

特長

  • トレンチゲートと薄型ウェハ技術(G8Hシリーズ)
  • 高速リカバリーダイオードを1パッケージで内蔵
  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V(typ.) (IC = 50A、VGE = 15V、Ta = 25°C時)
  • 品質水準:標準水準
  • 高速スイッチング
  • 短絡については、仕様にありません

製品比較

アプリケーション

  • 無停電電源装置
  • 溶接機
  • 太陽光発電インバータ
  • 電力変換システム

ドキュメント

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models