メインコンテンツに移動

概要

説明

RJP65S07DWAは650V、150Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、Unsawnウェハパッケージで提供されます。

特長

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V(typ.) (IC = 150A、VGE = 15V、TC = 25°C時)
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量(10µs min.)

製品比較

アプリケーション

  • インバータ

ドキュメント

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models