概要

RJP65S07DWAは650V、150Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、Unsawnウェハパッケージで提供されます。

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V（typ.） （IC = 150A、VGE = 15V、TC = 25°C時）
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量（10µs min.）

アプリケーション

  • インバータ

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models

製品選択

    Processing table
    Pkg. Type
    Carrier Type
    ご購入 / サンプル
    型名
    RJP65S07DWA-80#W0
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		Wafer
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

    • Hide Filters button in header: Collapse or expands filters
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    • Filter parts search bar in header: Type to filter table results by part number
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    • AND / OR toggle switches in header: Toggles the logic of this particular filter to be “AND” or “OR” logic for filtering results
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    • Document icon next to product name in row: View the featured document for this product
    • Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
    • Cart icon to the right of the chip icon: Indicates that samples are available for this product