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概要

説明

RJP65S08DWAは650V、200Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、Unsawnウェハパッケージで提供されます。

特長

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V(typ.) (IC = 200A、VGE= 15V、TC = 25°C時)
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量(10µs min.)

製品比較

アプリケーション

  • インバータ

ドキュメント

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models