メインコンテンツに移動

概要

説明

本製品はゲートの印加電圧によりDS間のON-OFF制御ができるパワースイッチ用MOS FETです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵したものであり,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FETを保護する働きを持っています。

特長

  • ロジックレベル (–6 V) 駆動型パワーMOS FETです。
  • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET保護が可能。
  • 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
  • 過熱遮断方式はラッチ型です。過熱遮断回路動作後は,ゲート電圧0バイアスで復帰します。
  • 電流制限回路を内蔵しております。
  • 電源電圧12 V適用
  • AEC-Q101 Rev-E準拠

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models