概要
説明
本製品はゲート印加電により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
特長
- ロジックレベル 駆動型パワーMOS FET です。
- 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。
- 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
- 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度以下まで下がると自動的に復帰します。
- 高密度実装が可能。
- 電源電圧 12 V, 24 V 適用
- AAEC-Q101 VerD 準拠
- RJF0622JSP チップを使用
製品比較
アプリケーション
設計・開発
モデル
ECADモデル
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