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概要

説明

本製品はゲート印加電により DS 間の ON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造はパワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており,異常な周囲温度上昇,過電力,過電流による発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。

特長

  • ロジックレベル 駆動型パワーMOS FET です。
  • 過熱遮断回路を内蔵しており,高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能。
  • 負荷短絡に対する耐量が向上しています。
  • 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度以下まで下がると自動的に復帰します。
  • 高密度実装が可能。
  • 電源電圧 12 V, 24 V 適用
  • AAEC-Q101 VerD 準拠
  • RJF0622JSP チップを使用

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ECADモデル

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Diagram of ECAD Models