耐放射線強化メモリ

ルネサスの耐放射線強化CMOSプログラマブル読み出し専用メモリ（PROM）デバイスは、8Kワード×8ビットのフォーマットで構成され、耐放射線強化CMOSプロセスにより製造され、同期回路設計技術を活用することで、非常に低い電力損失での高速性能を実現しています。