概要

説明

ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。

弊社の1800V - 200A/100A IGBTは、風力発電やソーラーインバータなど、高電力アプリケーションに最適化されています。

特長

  • ルネサス第8世代トレンチIGBT
  • 短絡耐量(10µs min.)
  • 高電力アプリケーションに最適化
  • Unsawnウェハ
  • ウェハサイズ:200mm
  • 品質水準:標準水準

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • 風力発電
  • ソーラーインバータ

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 134 KB
アプリケーションノート PDF 536 KB
アプリケーションノート PDF 1.24 MB
アプリケーションノート PDF 744 KB 英語
アプリケーションノート PDF 1.28 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
7 items

設計・開発

モデル