概要

説明

RJP65T43DPMは650V、40Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、150Aのコレクタピーク電流とスルーホール実装を提供し、TO-3PFMパッケージで提供されます。

特長

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.8V(typ.) (IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25°C時)
  • 絶縁パッケージ
  • トレンチゲートと薄型ウェハ技術(G7Hシリーズ)
  • 高速スイッチング tf = 45ns(typ.) (VCC = 400V、VGE = 15V、IC = 20A、Rg = 10Ω、Ta = 25°C、誘導負荷時)
  • 動作周波数(20kHz ≤ f ˂ 100kHz)
  • 短絡耐量は保証されていない

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