ルネサスは、独自技術である垂直磁気トンネル接合STT（スピントランスファートルク）を活用することで、長期データ保持と高速シリアル／パラレルインタフェースを備えたクラス最高の不揮発性メモリを実現する次世代MRAM（磁気抵抗ランダムアクセスメモリ）を提供しています。 ルネサスのMRAMは、幅広いメモリ密度と高い動作温度を備えており、高速なバックアップデータ検索を必要とするファクトリーオートメーション機器から、長期のデータ保存を必要とする医療用データユニットまで、幅広いアプリケーションに適しています。
ルネサスのMRAM製品は以下が含まれます。
- 高いメモリ密度
- SPI 4Mb～16Mb
- パラレル 4Mb～32Mb
- 低いアクティブ書き込み／読み出し電流
- SDRおよびDDRモードを備えたSPI、DPI、QPI、および最大108MHzの構成可能なインタフェース
- 1.71V～3.6V（SPIインターフェース）および2.7V～3.6V（パラレルインターフェース）の低動作電力
- 動作温度範囲 -40 °C～105 °C
MRAMメモリについて
MRAMは、磁気素子のセル内にデータを保存するタイプのメモリです。 薄い絶縁体で分離された2つの強磁性プレートが磁化を保持します。 1つのプレートは、特定の極性に設定された永久磁石です。 2つ目のプレートの磁化は、外部磁場によって変化します。 プログラミング中、この磁場は低抵抗または高抵抗の状態を生成することができ、それぞれデータ記憶における「0」または「1」を表します。
