概要

説明

RMLV0816BGSBは、524,288ワード × 16ビット構成の8MビットスタティックRAMです。Advanced LPSRAM技術を採用し、高密度、高性能、低消費電力を実現しております。したがって、RMLV0816BGSBは、バッテリバックアップシステムに最適です。また、RMLV0816BGSBは、44ピンの薄型パッケージ(TSOP/11.76mm×18.41mm [ピンピッチ 0.80mm])に収納されており、高密度実装に最適です。

特長

  • 3V 単一電源:2.4V ~ 3.6V
  • アクセス時間
    -電源電圧 2.7V~3.6V 時:45ns (max.)
    -電源電圧 2.4V~2.7V 時:55ns (max.)
  • 消費電流
    -スタンバイ時:0.45µA (typ.)
  • アクセスとサイクル時間が同じです。
  • データ入力と出力が共通端子です。
    -スリーステート出力
  • すべての入出力が、TTLコンパチブルです。
  • バッテリバックアップ動作が可能です。

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