概要
説明
TP65H035G4YS 650V 35mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。
このTP65H035G4YSは、ケルビンソースと共通ソースパッケージ構成の業界標準のTO-247-4で提供されます。
特長
- Gen IVテクノロジー
- JEDEC認定のGaN技術
- 動的RDS(on)eff生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- 一般的に使用されるゲートドライバーで駆動が簡単
- 性能向上のためのケルビンソース
製品比較
アプリケーション
- データコム
- 幅広い産業
- PVインバーター
- サーボ モーター
設計・開発
Processing table
| TO-247 | Tube | 1 | Through Hole | -55 to +150°C |
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