概要

TP65H050G4BS 650V 50mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、GenIVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFETを組み合わせて、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。

このTP65H050G4BSは、業界標準のSMD TO-263で提供され、共通のソースパッケージ構成を採用しています。

TP65H050G4BS Typical Diagram
TP65H050G4BS Efficiency
TP65H050G4BS Power Loss
TP65H050G4BS Typical Diagram
TP65H050G4BS Efficiency
TP65H050G4BS Power Loss
  • JEDEC認定のGaN技術
  • ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 固有の寿命テスト
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 突入電流能力の向上
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • AC-DCブリッジレストーテムポールPFC設計が可能
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
  • GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ

アプリケーション

  • データコム
  • 幅広い産業
  • PVインバーター
  • サーボ モーター

ドキュメント

= ピックアップ
分類 タイトル 日時
データシート
TP65H050G4BS Datasheet
PDF 1.19 MB
1件

設計・開発

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ECADモデル

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    型名
    TP65H050G4BS
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		TO-263 Tube 3 Surface Mount -55 to +150°C
    Parametric Table tips

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