1.2 kW Half-bridge Synchronous Buck or Boost Evaluation Platform
The TDHBG1200DC100 1.2 kW half-bridge evaluation board provides the elements of a simple buck or boost converter for basic study of switching characteristics and...
TP65H070G4LSG 650V 72mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、Gen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNパワー製品は、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンよりも効率が向上します。
このTP65H070G4LSGは、共通のソースパッケージ構成の高性能PQFN88で提供されます。
The TDHBG1200DC100 1.2 kW half-bridge evaluation board provides the elements of a simple buck or boost converter for basic study of switching characteristics and...
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Pkg. Type |
Carrier Type |
Moisture Sensitivity Level (MSL) |
Mounting Type |
Temp. Range |
ご購入 / サンプル |
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型名 | ||||||
PQFN88 | Tape & Reel | 3 | Surface Mount | -55 to +150°C |