概要

TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。

ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。

このTP65H300G4LSGBは、ケルビンソースと共通ソースパッケージ構成の業界標準のPQFN88で提供されます。

TP65H300G4LSGB Typical Diagram
TP65H300G4LSGB Typical Diagram
  • Gen IVテクノロジー
  • JEDEC認定のGaN技術
  • 動的RDS(on)eff生産テスト済み
  • ロバスト設計、以下によって定義されます。
    • 広いゲート安全マージン
    • 過渡過電圧機能
  • 非常に低いQRR
  • クロスオーバー損失の低減
  • RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
  • ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
    • 電力密度の向上
    • システムのサイズと重量の低減
    • 全体的なシステムコストの削減
  • 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
  • 性能向上のためのケルビンソース
  • e-mode GaN FETによるピン・ツー・ピン・ドロップイン

アプリケーション

  • 民生
  • 電源アダプタ
  • 低電力SMPS
  • 照明機器

ドキュメント

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分類 タイトル 日時
データシート
TP65H300G4LSGB Datasheet
PDF 930 KB
1件

設計・開発

ECADモデル

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製品選択

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    Carrier Type
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Mounting Type
    Temp. Range
    ご購入 / サンプル
    型名
    TP65H300G4LSGB
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		PQFN88 Tape & Reel 3 Surface Mount -55 to +150°C
    Parametric Table tips

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