概要
説明
TP65H480G4JSGB 650V 480mΩ窒化ガリウム(GaN)FETは、ルネサスのGen IVプラットフォームを使用して構築されたノーマリオフデバイスです。 最先端の高電圧GaN HEMT技術と低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性と性能を提供します。
ルネサスのGaNは、ゲート電荷の低減、クロスオーバー損失の低減、逆回復電荷の低減により、シリコンに対する効率を向上させます。
このTP65H480G4JSGBは、共通のソース・パッケージ構成の業界標準のPQFN56で提供されます。
特長
- Gen IVテクノロジー
- JEDEC認定のGaN技術
- ダイナミックRDS(on)eff 生産テスト済み
- ロバスト設計、以下によって定義されます。
- 広いゲート安全マージン
- 過渡過電圧機能
- 非常に低いQRR
- クロスオーバー損失の低減
- RoHS準拠およびハロゲンフリーのパッケージ
- ハードスイッチ回路とソフトスイッチ回路の両方で効率を向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズと重量の低減
- 全体的なシステムコストの削減
- 一般的に使用されるゲートドライバーで簡単に駆動できます
- GSDピンレイアウトにより高速設計が向上
製品比較
アプリケーション
- 民生
- 電源アダプタ
- 低電力SMPS
- 照明機器
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 896 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 372 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 639 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 3.39 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 1.26 MB | |
| ガイド | PDF 225 KB | |
| ガイド | PDF 273 KB | |
| ガイド | PDF 391 KB | |
8件
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設計・開発
Processing table
| PQFN56 | Tape & Reel | 3 | Surface Mount | -55 to +150°C |
Tips for Using This Parametric Table:
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- Reset button in header: Reset all filters to the page default
- Full Screen button in header: Expand the table to full screen view (user must close out of full screen before they can interact with rest of page)
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- Filter parts search bar in header: Type to filter table results by part number
- Hide column button in column headers: Select to hide columns in table
- AND / OR toggle switches in header: Toggles the logic of this particular filter to be “AND” or “OR” logic for filtering results
- Multiselect checkboxes at beginning of each row in table: Select these checkboxes to compare products against each other
- Document icon next to product name in row: View the featured document for this product
- Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
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