概要

ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。

弊社の1800V - 200A/100A IGBTは、風力発電やソーラーインバータなど、高電力アプリケーションに最適化されています。

  • ルネサス第8世代トレンチIGBT
  • 短絡耐量（10µs min.）
  • 高電力アプリケーションに最適化
  • Unsawnウェハ
  • ウェハサイズ：200mm
  • 品質水準：標準水準

アプリケーション

  • 風力発電
  • ソーラーインバータ

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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    Processing table
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    RBN100N180S2HFWA-850#FF0
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		Wafer
    RBN100N180S2HFWA-8F0#FF0
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		Wafer
    Parametric Table tips

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