ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。
弊社の1800V - 200A/100A IGBTは、風力発電やソーラーインバータなど、高電力アプリケーションに最適化されています。
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