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概要

説明

ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。

弊社の1800V - 400A/200A IGBTは、風力発電やソーラーインバータなど、高電力アプリケーションに最適化されています。

特長

  • ルネサス第8世代トレンチIGBT
  • 短絡耐量(10µs min.)
  • 高電力アプリケーションに最適化
  • Unsawnウェハ
  • ウェハサイズ:200mm
  • 品質水準:標準水準

製品比較

アプリケーション

  • 風力発電
  • ソーラーインバータ

ドキュメント

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models