概要

説明

ルネサスの車載用AE5 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。

  • 市場最小レベルの導通損
  • 破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化・低スイッチングロス化・チップシュリンクを実現
  • Vthのばらつきを抑えており、より簡易的な並列動作が可能
  • 従来175degCからTjmax185degCとなっており、高温領域でもより安定した性能

本750V/220A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。

特長

  • 750V trench & field stop AE5 technology 
  • Low collector to emitter saturation voltage (1.35V typ.)
  • Low switching loss
  • Easy paralleling by internal Rg and narrow VGE(th) distribution
  • Solderable and sinterable top metal
  • AEC Q101 (HTRB, HTGB) qualified

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • Hybrid and electric vehicle inverter

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