概要
説明
ルネサスの車載用AE5 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。
- 市場最小レベルの導通損
- 破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化・低スイッチングロス化・チップシュリンクを実現
- Vthのばらつきを抑えており、より簡易的な並列動作が可能
- 従来175degCからTjmax185degCとなっており、高温領域でもより安定した性能
本750V/220A IGBTは、ハイブリッドや電気自動車用の走行インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。
特長
- 750V trench & field stop AE5 technology
- Low collector to emitter saturation voltage (1.35V typ.)
- Low switching loss
- Easy paralleling by internal Rg and narrow VGE(th) distribution
- Solderable and sinterable top metal
- AEC Q101 (HTRB, HTGB) qualified
製品比較
アプリケーション
- Hybrid and electric vehicle inverter
設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
| Sawn Wafer |
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