概要

説明

RBN75H65T1FPQ-A0は650V、75Aのトレンチ絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、ファストリカバリダイオード(FRD)を内蔵しており、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。TO-247Aパッケージで提供されます。

特長

  • トレンチゲートおよび薄型ウェハー技術(G8Hシリーズ)
  • 高速リカバリーダイオードを1つのパッケージに内蔵
  • 低コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) = 1.5V typ. (IC = 75A、VGE = 15V、Ta = 25 °Cの場合)
  • 品質グレード:標準
  • 高速スイッチング
  • 短絡に対する非特定

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • UPS(無停電電源装置)
  • 溶接
  • 太陽光発電インバータ
  • 電力変換システム

ドキュメント

設計・開発

モデル