概要
説明
ルネサスの第8世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）は、プロセス構造に独自のトレンチゲート構造を採用しました。 前世代のIGBTと比べて高速スイッチング特性を向上し、飽和電圧の低下により導通損失の低減を実現しました。
RBN75N65T1UFWAは650V/75AのIGBT製品で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、パワー・スイッチング・アプリケーションに使用できます。 Unsawn waferで提供されます。
特長
- ルネサス世代 第8世代 トレンチIGBT
- 低コレクタ-エミッタ飽和電圧
- 高速スイッチング
- Unsawnウエハ
- ウエハサイズ= 200mm
- 品質水準：標準水準
製品比較
アプリケーション
- 無停電電源装置
- 溶接機
- 太陽光発電インバータ
- 電力変換システム
設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
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