概要

説明

ルネサスのAE4 IGBTは、プロセス構造に独自のトレンチゲート構成を採用しています。これらのデバイスは、破壊耐量を犠牲にすることなく低オン電圧化を可能とし、更には、低スイッチングロス化を実現しています。本1200V/200A IGBTは、インバータなどの高出力アプリケーション向けに最適化されています。
 

特長

  • 1200V AE4 トレンチテクノロジー
  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE (sat) = 1.5V(typ.) (IC = 200A、VGE = 15V、Ta = 25°C時)
  •  低損失スイッチング
  • 内蔵Rgによる容易な並列化

製品比較

アプリケーション

アプリケーション

  • 高速スイッチング

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