概要

RJP1CS10DWSは1250V、10Aの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）で、コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低く、インバータアプリケーションに使用できます。 Sawnウェハパッケージで提供されます。

  • コレクタからエミッタへの低飽和電圧 VCE(sat) = 1.8V（typ.） （IC = 10A, VGE = 15V、Tc = 25 °C時）
  • 高速スイッチング
  • 短絡耐量（10µs min.）

アプリケーション

  • インバータ

ドキュメント

設計・開発

ECADモデル

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製品選択

    Processing table
    Pkg. Type
    Carrier Type
    ご購入 / サンプル
    型名
    RJP1CS10DWS-80#W0
    circleアクティブ
    memory
    view_in_ar
    		Sawn
    Parametric Table tips

    Tips for Using This Parametric Table:

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    • Filter parts search bar in header: Type to filter table results by part number
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    • Chip icon next to the right of the document icon in row: View the block diagram for this product
    • Cart icon to the right of the chip icon: Indicates that samples are available for this product