概要
説明
The 2SJ601 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver.
特長
- Low on-state resistance:
RDS(on)1 = 31 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –18 A)
RDS(on)2 = 46 mΩ MAX. (V/GS = –4.0 V, ID = –18 A) - Low input capacitance:
Ciss = 3300 pF TYP. (VDS = –10 V, VGS = 0 V) - Built-in gate protection diode
- TO-251/TO-252 package
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 232 KB | |
アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
ガイド | PDF 596 KB | |
4件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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