概要
説明
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The 2SK2857C, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4. 0 V power source.
特長
- Directly driven by a 4.0 V power source.
- Low on-state resistance RDS(on)1 = 105 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) RDS(on)2 = 150 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 190 KB | |
ガイド | PDF 2.76 MB | |
ガイド | PDF 796 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
6件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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