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概要

説明

The NP100N04MDH, NP100N04NDH, NP100N04PDH are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Enhancing Tch(MAX.) to 200°C (Operation time until 250 Hr)
  • Super low on-state resistance NP100N04MDH, NP100N04NDH RDS(on)1 = 3.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 4.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A) NP100N04PDH RDS(on)1 = 2.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) RDS(on)2 = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 50 A)
  • High avalanche energy, High avalanche current
  • Logic level drive Type
  • Low input capacitance Ciss = 8700 pF TYP. (VDS = 25 V)

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 355 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB English
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models