概要
説明
The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Super low on-state resistance RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
- Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
- High current rating: ID(DC) = ±100 A
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 216 KB | |
| ガイド | PDF 2.76 MB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
6件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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