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概要

説明

The NP100P04PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 3.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 5.1 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)
  • High current rating: ID(DC) = ∓100 A

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.32 MB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
8件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models