概要

説明

The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)
  • High current rating: ID(DC) = ∓100 A

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.32 MB
ガイド PDF 2.65 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7 items

設計・開発

モデル