概要
説明
The NP20P06YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Low on-state resistance RDS(on) = 47 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on) = 64 mΩ MAX. (VGS = –5 V, ID = –10 A) RDS(on) = 70 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –10 A)
- Logic level drive type
- Gate to Source ESD protection diode built in
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 120 KB | |
| ガイド | PDF 2.76 MB | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
| 製品別信頼性資料 | PDF 222 KB | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
| カタログ | PDF 2.24 MB | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
8件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
| HSON | Power SON-8 5x6 | Embossed Tape | 1 | 0.6443 | サンプルを入手, |
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