概要

説明

The NP20P06YLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 47 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –10 A) RDS(on) = 64 mΩ MAX. (VGS = –5 V, ID = –10 A) RDS(on) = 70 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –10 A)
  • Logic level drive type
  • Gate to Source ESD protection diode built in
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 120 KB
ガイド PDF 2.65 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 222 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル