メインコンテンツに移動
ご購入

概要

説明

The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) RDS(on) = 15 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A)
  • Logic level drive type
  • Gate to Source ESD protection diode built in
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 208 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 223 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
8件

設計・開発

モデル

ECADモデル

[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。

Diagram of ECAD Models