概要

説明

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on) = 9.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 23 A)
  • Low Ciss: Ciss = 1690 pF TYP. (VDS = 25 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 281 KB
ガイド PDF 2.65 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 226 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル