概要
説明
The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Low on-state resistance RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A)
- Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Small size package 8-pin HSON
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
= ピックアップ
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分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 230 KB | |
ガイド | PDF 2.65 MB | |
アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
製品別信頼性資料 | PDF 222 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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