概要

説明

The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A)
  • Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V)
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
  • Small size package 8-pin HSON

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 230 KB
ガイド PDF 2.65 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 222 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル