概要

説明

The NP50P06SDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 16.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 23.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A)
  • Low input capacitance Ciss = 5000 pF TYP.

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 1.32 MB
アプリケーションノート PDF 504 KB 英語
ガイド PDF 2.65 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
製品別信頼性資料 PDF 224 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
8件

設計・開発

モデル