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概要

説明

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The NP80N04MLG, NP80N04NLG, and NP80N04PLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Logic level
  • Built-in gate protection diode
  • Super low on-state resistance NP80N04MLG, NP80N04NLG RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A) NP80N04PLG RDS(on)1 = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)
  • High current rating ID(DC) = ±80 A
  • Low input capacitance Ciss = 4600 pF TYP.
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 348 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB English
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models