概要
説明
Support is limited to customers who have already adopted these products.
The NP90N06VLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Logic level
- Built-in gate protection diode
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 12.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)
- High current rating ID(DC) = ±90 A
- Low input capacitance Ciss = 4600 pF TYP.
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
ログイン後、ご登録が可能となります。
|
|
|
---|---|---|
分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 329 KB | |
ガイド | PDF 2.76 MB | |
ガイド | PDF 796 KB | |
製品別信頼性資料 | PDF 223 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
カタログ | PDF 2.24 MB | |
ガイド | PDF 596 KB | |
7件
|
設計・開発
モデル
ECADモデル
[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。