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概要

説明

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The NP90N06VLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特長

  • Logic level
  • Built-in gate protection diode
  • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) RDS(on)2 = 12.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)
  • High current rating ID(DC) = ±90 A
  • Low input capacitance Ciss = 4600 pF TYP.
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 329 KB
ガイド PDF 2.76 MB
ガイド PDF 796 KB
製品別信頼性資料 PDF 223 KB
アプリケーションノート PDF 633 KB English
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
7件

設計・開発

モデル

ECADモデル

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Diagram of ECAD Models