概要
説明
本製品はゲート印加電圧によりドレイン・ソース間のON-OFF 制御ができるパワースイッチです。構造は パワーMOS FETのゲート部に過熱遮断回路を内蔵しており，異常な周囲温度上昇，過電力，過電流による 発熱に対してゲート遮断動作によりパワーMOS FET を保護する働きを持っています。
特長
- ロジックレベル (5～6 V) 駆動型パワーMOS FET です
- 過熱遮断回路を内蔵しており，高熱状態のパワーMOS FET 保護が可能
- 負荷短絡に対する耐量が向上しています
- 過熱遮断方式はヒステリシス型です。素子温度が所定の温度まで下がると自動的に復帰します
- 高密度実装が可能
- 電源電圧12 V, 24 V 適用
製品比較
アプリケーション
- 電力スイッチン
ドキュメント
ピックアップ
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 354 KB 英語 | |
| ガイド | PDF 796 KB | |
| カタログ | PDF 9.16 MB | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
| カタログ | PDF 1.32 MB | |
7件
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設計・開発
モデル
ECADモデル
[製品選択]テーブル内の製品名をクリックするとSamacSysが提供する回路図シンボル、PCBフットプリント、3D CADモデルがご確認いただけます。 お探しのシンボルやモデルが見つからない場合、Webサイトから直接リクエストできます。
Processing table
| SOP | SOP-8 / SOIC-8 | Embossed Tape | サンプルを入手, |
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