概要
説明
MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.
特長
- Low on-state resistance
RDS(on)1 = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)
RDS(on)2 = 6.3 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 10 A) - Low Ciss: Ciss = 5100 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)
- Built-in gate protection diode
- Small and surface mount package (Power SOP8)
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
ピックアップ
ログイン後、ご登録が可能となります。
|
|
|
---|---|---|
分類 | タイトル | 日時 |
データシート | PDF 274 KB | |
ガイド | PDF 796 KB | |
アプリケーションノート | PDF 633 KB English | |
ガイド | PDF 596 KB | |
4件
|